Equipamento de gravação de filme fino de plasma

Equipamento de gravação de filme fino de plasmaé uma solução-de ponta projetada para remoção precisa de revestimentos-de filmes finos, oferecendo desempenho excepcional na modificação de superfície e remoção de resíduos. Aproveitando a tecnologia de gravação de íons reativos (RIE), este equipamento combina reações químicas e bombardeio físico de íons para obter remoção de filme uniforme e controlada.

• Processamento em-baixa temperatura: o equipamento de gravação de filme fino por plasma opera em temperaturas ultra-baixas, minimizando o estresse térmico e evitando a deformação do substrato. Esse recurso é fundamental para materiais delicados, como polímeros e óptica de precisão.
• Taxa de gravação ajustável: a distância entre a fonte de íons e o substrato pode ser ajustada dinamicamente por meio de uma plataforma rotativa-com altura ajustável, permitindo controle preciso sobre a velocidade de gravação (até 30 nm/min) para atender a diversos requisitos de processo.
• Alta uniformidade: Equipado com fontes de feixe de íons patenteadas e tecnologia de descarga avançada, o equipamento gera plasma de alta-densidade, garantindo gravação uniforme e resultados consistentes em substratos de até 800 mm de diâmetro.
• Funcionalidade-dupla: além da remoção de filme, esse sistema pode ser personalizado para aplicações multifuncionais, incluindo limpeza de superfícies e pré{0}}tratamento para processos de revestimento subsequentes.

OMáquina de limpeza de plasmaopera através de uma interação sofisticada de bombardeio físico e reações químicas impulsionadas por gás ionizado (plasma). Basicamente, o sistema gera plasma aplicando energia de radiofrequência (RF) a um ambiente de gás de baixa-pressão (por exemplo, oxigênio, argônio ou nitrogênio). Essa energia dissocia as moléculas de gás em espécies reativas, incluindo íons, elétrons e radicais livres, formando uma nuvem de plasma de alta-energia.

1,Geração de Plasma:
Quando a potência de RF (normalmente 13,56 MHz ou 40 kHz) é aplicada aos eletrodos dentro da câmara de vácuo, as moléculas de gás sofrem ionização. Isso cria uma descarga luminosa, produzindo um estado de plasma estável. A seleção dos gases do processo determina o mecanismo de reação dominante: o plasma de oxigênio é excelente na oxidação de contaminantes orgânicos, enquanto o plasma de argônio melhora a pulverização física de resíduos inorgânicos.

2, Mecanismo de limpeza:

• Bombardeio Físico:Íons de alta-energia no plasma colidem com contaminantes da superfície, quebrando ligações moleculares e desalojando partículas por meio de transferência de energia cinética. Este processo remove efetivamente partículas e camadas fracamente aderidas.
• Reação Química:Os radicais reativos (por exemplo, O⁎, OH⁎) interagem com poluentes orgânicos, decompondo-os em subprodutos voláteis (CO₂, H₂O) que são evacuados através do sistema de vácuo.
• Ativação de superfície:Simultaneamente, a exposição ao plasma modifica a química da superfície criando grupos funcionais polares (-OH, -COOH), melhorando a molhabilidade e a adesão para processos subsequentes.

Comparação pré- e pós{1}}de gravação

• Pré-gravação: Filmes residuais-à base de carbono (por exemplo, revestimentos DLC/ta{3}}C) ou contaminantes podem degradar a adesão da superfície e o desempenho óptico.
• Pós-gravação: é obtida uma superfície pura e livre-de contaminantes, melhorando a adesão para revestimentos subsequentes e melhorando a confiabilidade do produto em setores como eletrônicos de consumo, ótica e energia renovável.

• Gravação de Gás: Ar, O₂
• Fonte de energia: 380 V/50 Hz, 10 kW
• Sistema de vácuo: Bomba molecular com pressão de base menor ou igual a 5,0×10⁻⁴ Pa
• Personalização: O tamanho da câmara e as dimensões externas podem ser adaptadas às necessidades do cliente.

• Remoção-de película fina para lentes ópticas, painéis de exibição e ferramentas de precisão.
• Pré--tratamento de superfície em eletrônicos 3C, dispositivos médicos e indústrias de novas energias.