O sistema IBAE combina feixe-de elétrons ou evaporação térmica com uma fonte integrada de íons-de feixe amplo. O bombardeio simultâneo de íons durante o crescimento do filme transfere energia cinética para a condensação de adátomos, eliminando microestruturas colunares e produzindo filmes finos de densidade próxima de-volume-com deslocamento espectral induzido por umidade-mínima.
Especificações Técnicas
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Parâmetro |
Especificação |
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Pressão Base |
<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes) |
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Pressão de Trabalho |
1,0 x 10 ^ (-1) a 1,0 x 10 ^ (-2) Pa |
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Tipo de fonte de íons |
Extremidade sem grade-Fonte de íons Hall / Kaufmann |
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Energia de feixe de íons |
50 eV a 1.500 eV (circuito fechado-estabilizado) |
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Densidade atual do feixe de íons |
0 a 2,5 mA/cm^2 |
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Fontes de evaporação |
Pistola de-bolso E-feixe (4 x 15 cc a 6 x 40 cc) / Barcos de resistência |
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Suporte de substrato |
Dispositivo de rotação planetária com aquecimento até 300 graus C |
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Uniformidade de Espessura |
<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter |
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Sistema de controle |
PLC Siemens S7-1500 + PC Industrial (controlador de deposição Inficon) |
Principais recursos
Bombardeio de modo-duplo:A transferência de energia cinética densifica os filmes em baixas temperaturas do substrato, protegendo ópticas delicadas e substratos poliméricos.
Estabilização de íons de circuito fechado-:Os controladores de fluxo de massa integrados mantêm o fluxo de íons constante durante longos ciclos de produção, garantindo a consistência do lote.
Câmara de vácuo modular:Estrutura em aço inoxidável 304L com interior eletro-polido (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.
Sequenciamento automatizado:Os ciclos de bombeamento, deposição e ventilação-gerenciados-pelo PLC minimizam a variação operacional.
Configuração do sistema de vácuo
Bombas de desbaste:Raízes secas-isentas de óleo e bombas de palhetas rotativas.
Bomba de alto vácuo:Bomba turbomolecular levitada magneticamente (1600 L/s).
Medidores:Combinação de manômetros de capacitância Pirani, cátodo frio e Baratron.
Válvula:Válvulas pneumáticas de gaveta e ângulo com intertravamentos de segurança de hardware.
Materiais de evaporação e compatibilidade de substrato
Óxidos:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3
Fluoretos:MgF2, LaF3
Metais:Au, Ag, Al, Ti, Cr
Substratos:Sílica fundida, BK7, pastilhas de silício, germânio, seleneto de zinco (ZnSe) e poliimida-resistente ao calor.
Aplicativos
Óptica de precisão:Filtros de passagem de banda estreita e revestimentos DWDM que exigem comprimentos de onda centrais estáveis.
Óptica Laser:Refletores de alto limite de-danos-e revestimentos anti{2}}reflexos.
Semicondutores e Fotônica:Camadas protetoras dielétricas, passivação e guias de ondas ópticas.
Energia solar:Modificação da interface de óxido condutor transparente (TCO).
Personalização
Dimensionamento da Câmara:Diâmetros escaláveis de 600 mm a 1200 mm.
Layout de origem:Até três pistolas de feixe eletrônico e diversas fontes térmicas por plataforma.
Metrologia-in situ:Integração de monitoramento óptico de banda larga (BOM) ou microbalança de cristal de quartzo (QCM).
Automação:Interfaces robóticas de carregamento de substrato em conformidade com os padrões SEMI.
Controle de qualidade
Detecção de vazamento:Teste de espectrômetro de massa de hélio por câmara (sensibilidade<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).
Fornecimento de componentes:Marcas industriais de nível 1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).
Aceitação de fábrica (FAT):Teste contínuo de 72 horas a seco e revestimento de verificação medindo o índice de refração e a uniformidade antes do envio.
Instalação e suporte técnico
Documentação:Pacote completo em inglês, incluindo esquemas elétricos, diagramas P&ID e códigos-fonte de PLC.
Serviços de campo:Instalação pronta para uso, calibração de vácuo e ajuste de receita por engenheiros de aplicação.
Diagnóstico Remoto:Módulo VPN seguro para solução de problemas de software e processos.
Perguntas frequentes
P: Como a assistência iônica altera o índice de refração do óxido?
R: O bombardeio energético de íons expele gases residuais aprisionados e densifica a microestrutura, deslocando o índice de refração de filmes como Ta2O5 e TiO2 para mais perto dos valores brutos.
P: Qual é o intervalo de manutenção típico para a fonte de íons?
R: Os intervalos de manutenção variam de 150 a 300 horas de processamento, dependendo dos gases do processo e da densidade de potência operacional.
P: Este sistema pode gerenciar processos de gás reativo?
R: Sim. Controladores de fluxo de massa independentes injetam gases reativos (O2, N2) diretamente na fonte de íons e nas zonas da câmara, interligados com pressostatos de segurança.
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