Equipamento de filme fino de multiprocessamento PVD-

O equipamento de filme fino de-processo múltiplo PVD é uma plataforma integrada de deposição a vácuo projetada para combinar diversas-técnicas de fabricação de filme fino-, incluindo pulverização catódica de magnetron RF/DC, evaporação térmica e evaporação por feixe de elétrons-em uma arquitetura de vácuo unificada.

Esse sistema elimina a contaminação por ruptura de vácuo entre camadas distintas do processo, permitindo a deposição de filmes complexos de múltiplas-camadas metálicas, dielétricas e semicondutoras sem exposição ambiental. Configurado para clusters de pesquisa e desenvolvimento de laboratório ou produção em linha-piloto, ele acomoda substratos de até 300 mm de diâmetro ou transportadores personalizados.

Arquitetura modular de vácuo:Câmaras de processo independentes acopladas por meio de válvulas de gaveta evitam a contaminação-cruzada entre a pulverização catódica reativa e a evaporação-de alto vácuo.

Transferência de substrato-a vácuo:Os braços de transferência magnéticos ou lineares mantêm alto vácuo (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Flanges de origem-de troca rápida:Os cátodos de pulverização catódica e os cadinhos de feixe eletrônico são montados em flanges CF padrão para rápida manutenção e substituição do alvo.

Captura Criogênica Avançada:Armadilhas frias de nitrogênio líquido integradas e armadilhas Meissner minimizam a pressão residual de vapor de água dentro da câmara.

Monitoramento-de espessura de loop fechado:Sensores duplos de microbalança de cristal de quartzo (QCM) fornecem taxa de deposição-em tempo real e feedback de espessura vinculados diretamente à regulação da fonte de alimentação.

Estágio de desbaste:Bombas scroll isentas de-óleo combinadas com sopradores de raízes de vários-estágios para eliminar o refluxo-de hidrocarbonetos.

Estágio de alto vácuo:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1.200 L/s para N2) e bombas criogênicas opcionais para alta produção de-vapor de água.

Regulação de pressão:Manômetros capacitivos Baratron para medição de pressão absoluta independente da espécie de gás, combinados com válvulas reguladoras automatizadas para controle preciso da pressão do gás de processo (0,1 Pa a 10 Pa).

Detecção de vazamento:Vazamento de hélio-testado para < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s antes do teste de aceitação de fábrica (FAT).

Alvos Condutivos:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Materiais Dielétricos:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (via pulverização catódica reativa ou feixe eletrônico).

Tipos de substrato:
Wafers semicondutores (Silício, Arseneto de Gálio, Fosfeto de Índio).

Blanks ópticos (Sílica fundida, BK7, Safira).

Redes flexíveis e chapas metálicas finas (poliimida, folha de aço inoxidável).

Optoeletrônica:Deposição de camadas de óxido condutor transparente (TCO) e pilhas de filtros ópticos anti-reflexivos (AR).

Fabricação de dispositivos semicondutores:Formação de contatos ôhmicos, barreiras Schottky, camadas de sementes para galvanoplastia e barreiras de difusão (Ti/TiN).

Fabricação de sensores:Strainômetros metálicos de filme-fino, micro{1}}elementos aquecedores e transdutores piezoelétricos.

Pesquisa e desenvolvimento avançados:Síntese exploratória de filme fino-de múltiplas camadas-para componentes de computação quântica e novos materiais de armazenamento de energia.

Geometria da Câmara:Expansão das dimensões da câmara para substratos de lote não{0}padrão ou superdimensionados.

Integração de Fonte:Razões de alocação personalizadas entre pistolas de pulverização catódica magnetron e bolsas de evaporação por feixe de elétrons.

Sputtering polarizado:Opções de polarização RF/DC de substrato para densificação de filme e controle de tensão.

Carregar-Integração de bloqueio:Adição de câmaras de bloqueio-de carga automatizadas para manter a integridade do alto vácuo durante ciclos de carregamento-de alto rendimento.

Rastreabilidade de Materiais:Certificados de teste de usinagem (MTCs) fornecidos para todos os componentes de aço inoxidável e estruturas estruturais do lado do vácuo.

Montagem de sala limpa:Integração final e verificação de{0}contagem de partículas realizadas em um ambiente de sala limpa ISO Classe 6.

Teste de aceitação de fábrica (FAT):Teste de cozimento a vácuo contínuo de 72- horas, teste de vazamento por espectrometria de massa do analisador de gás residual (RGA) e execução de deposição de filme de linha de base para verificar a uniformidade da espessura.

Guia de preparação do local:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), ar comprimido, linhas de gás de processo (Ar, O2, N2 com pureza de 99,999%) e requisitos de carga elétrica (380 V/480 V trifásicos).

Comissionamento:Instalação-no local, calibração de vácuo e testes conjuntos-realizados por engenheiros de serviço de campo da fábrica.

Treinamento do Operador:Treinamento estruturado de 5-dias no local cobrindo manutenção de rotina, protocolos de segurança de vácuo, programação de receitas e solução de problemas básicos.