Equipamento-de evaporação a vácuo assistida por íons

Equipamento-de evaporação a vácuo assistida por íons

Detalhes
O sistema de evaporação a vácuo-assistida por íons integra fontes de evaporação térmica de alto-vácuo ou de feixe de elétrons-com uma fonte de íons tipo Kaufman-ou End{4}}Hall. Ao bombardear o filme em crescimento com gás ionizado (Ar ou O2) durante a deposição física de vapor (PVD), o sistema transfere energia cinética para os adátomos, suprimindo a microestrutura colunar e evitando a absorção de umidade em filmes finos ópticos e dielétricos.
Classificação de produto
Equipamento de filme fino-de evaporação assistida por íons
 
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Descrição
Parâmetros técnicos

O sistema de evaporação a vácuo-assistida por íons integra fontes de evaporação térmica de alto-vácuo ou de feixe de elétrons-com uma fonte de íons tipo Kaufman-ou End{4}}Hall. Ao bombardear o filme em crescimento com gás ionizado (Ar ou O2) durante a deposição física de vapor (PVD), o sistema transfere energia cinética para os adátomos, suprimindo a microestrutura colunar e evitando a absorção de umidade em filmes finos ópticos e dielétricos.


Desenvolvido para integração em salas limpas e produção contínua em vários{0}}turnos, o sistema abrange desde áreas de pesquisa e desenvolvimento (câmaras de 300 mm) até linhas industriais de alto-produto (porta dupla-de 900 mm e configurações de rotação planetária).

 

Especificações Técnicas

 

Categoria de parâmetro

Especificação Técnica

Dimensões da Câmara

600 mm x 600 mm x 600 mm (personalizável até 1200 mm)

Material da Câmara

Aço inoxidável 304L, superfícies internas eletropolidas para Ra <0,2 um

Pressão Base

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Pressão Final

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Fontes de Evaporação

Pistola de feixe E-multi{0}}bolso (6 x 15 cc / 4 x 40 cc) e fontes térmicas resistivas

Fonte de íons

Fim-Fonte de íons Hall/sem grade (tensão do feixe: 50-300 V, corrente de íons: 0-500 mA)

Fixação de substrato

Mecanismo de rotação planetária (0-20 RPM) com aquecimento opcional (RT a 350 graus C)

Controle de espessura do filme

Microbalança de cristal de quartzo (QCM) com cabeça de sensor duplo e controlador de circuito fechado-PID

 

Principais recursos


Perto da-densidade aparente:A elevada mobilidade da superfície do adatom elimina a porosidade visível do filme e maximiza a dureza mecânica.


Ajuste de estresse intrínseco:A energia do feixe de íons ajustável neutraliza o estresse mecânico, evitando a delaminação em pilhas dielétricas espessas.


Processamento de baixo orçamento-térmico-:A densificação-impulsionada permite revestimento de alto-desempenho em substratos de polímero-sensíveis à temperatura sem distorção térmica.


Automação de receitas:Intertravamentos de vácuo-controlados por PLC e sequenciamento de-bombeamento gerenciados por meio de um painel de toque industrial-IHM com registro de dados.

 

Configuração do sistema de vácuo


Estágio de desbaste:Bomba mecânica de palhetas rotativas de duplo-estágio acoplada a um soprador de raízes (velocidade de 150 L/s) para cruzamento rápido.


Estágio de alto vácuo:Bomba turbomolecular levitada magneticamente (1.600 L/s) apoiada por uma bomba scroll seca-isenta de óleo para eliminar o refluxo de hidrocarbonetos.


Opção criogênica:Armadilha fria de nitrogênio líquido e integração de bomba criogênica para baixas pressões parciais de-vapor de água.


Medição de Vácuo:Medidores de-calibração cruzada Pirani e Cold Cathode para feedback-em tempo real da atmosfera até 10^-7 Pa.

 

Materiais de evaporação e compatibilidade de substrato


Materiais de Evaporação
Óxidos:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Fluoretos:MgF2, LaF3


Metais:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Compatibilidade de substrato
Substratos Ópticos:
Janelas de sílica fundida, N-BK7, silício, germânio e seleneto de zinco.


Bolachas semicondutoras:Wafers de silício e semicondutores compostos de 100 mm a 300 mm.


Polímeros:Filmes PET, PI (poliimida) e PMMA usando parâmetros IAD de baixa-temperatura.

 

Aplicativos


Óptica de precisão:Revestimentos anti{0}}reflexos (AR), espelhos laser e filtros passa-banda estreitos que exigem resistência à umidade.


Microeletrônica:Eletrodos de porta metálica, camadas de adesão e barreiras de passivação em embalagens de semicondutores.


Optoeletrônica:Contatos de óxido condutor transparente (TCO) e camadas de encapsulamento de barreira de umidade-OLED.

 

Opções de personalização


Geometria da Câmara:Construções retangulares ou cilíndricas adaptadas às restrições das paredes da sala limpa.


Integração-de múltiplas fontes:Configurações de co-evaporação acomodando até três canhões-de feixe E e quatro barcos térmicos.


Portas de metrologia-in situ:Portas de integração de flange para elipsômetros espectroscópicos ou sistemas de monitoramento óptico.


Nível de automação:Construções de pesquisa semi{0}}automáticas ou manuseio de wafers de cassete-para{2}}totalmente automatizado.

 

Controle de qualidade e protocolos de teste


Detecção de vazamento:Teste de espectrômetro de massa de hélio em cada câmara com um limite de rejeição estrito de < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Verificação de limpeza:A varredura do analisador de gases residuais (RGA) foi realizada antes do{0}}envio para verificar zero hidrocarbonetos orgânicos.


Queima do sistema-:Teste contínuo de simulação de 72- horas de acionamentos mecânicos, coletores de resfriamento e intertravamentos elétricos.


Documentação:Certificados de teste de fábrica de materiais (MTRs), esquemas elétricos e relatórios de teste de aceitação de fábrica (FAT).

 

Instalação e suporte técnico


Preparação do local:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), ar limpo e seco (CDA) e exaustão.


Comissionamento:Implantação de serviço de campo para nivelamento mecânico, conexão de serviços públicos, calibração de vácuo e aprovação de receitas-.


Treinamento do Operador:Programa no local de 5-dias que abrange operação, manutenção preventiva, solução de problemas e intertravamentos de segurança.


Peças de reposição:Itens de desgaste crítico (filamentos, cristais QCM, vedações, rolamentos turbomoleculares) estocados regionalmente.

 

Perguntas frequentes

 

P: Como o IAD evita o desvio do índice de refração?

R: O bombardeio de íons expele gases residuais aprisionados e compacta o crescimento do filme até próximo da-densidade aparente. Isso interrompe a condensação da umidade ambiente durante a ventilação atmosférica, garantindo deslocamento zero do-comprimento de onda central ao longo do tempo.

P: Qual é o intervalo de manutenção para grades e filamentos de fontes de íons?

R: Fim-As fontes de íons Hall operam por 150-200 horas de processo, dependendo dos gases reativos. Os grampos de liberação rápida permitem a substituição de componentes em menos de 30 minutos.

P: O sistema pode lidar com processos reativos como o TiO2?

R: Sim. Controladores de fluxo de massa (MFCs) dedicados e de alta{1}precisão injetam oxigênio ou nitrogênio diretamente na câmara e na fonte de íons, garantindo a estequiometria completa e eliminando a absorção de sub-óxido.

 

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